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击穿型晶体管

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晶体三极管,发射极击穿的原因有哪些???，双极型晶体管的击穿特性
引起发射极击穿的原因，只有负偏压较高这一种。对NPN型管来讲，当晶体管处于放大工作时，晶体管的发射极-基极之间，应该是正偏（基极电位高于发射极），如果出现基极电位比发射极低，我们就会认为，此晶体管“反偏了”。大家好，今天小编在百度知道关注到一个比较有意思的话题，就是关于击穿型晶体管的问题，于是小编就…… 击穿型晶体管
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【jdg管】探究JDG管的原理及其在电子行业中的应用
但是在栅极和漏极之间加入了一个击穿二极管，JDG管具有开关速度快、电压容忍度高、抗干扰能力强等优点，此时击穿二极管处于正向偏置状态，栅极和漏极之间的电流非常小，当加在JDG管上的电压超过了击穿电压时，此时栅极和漏极之间的电流会急剧增加。但是在栅极和漏极之间加入了一个击穿二极管，JDG管具有开关速度快…… JDG管 高压高频开关管 击穿型晶体管
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